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ProgrammeLe programme des deux réunions est en cours de construction Télécharger le programme GDR Pulse et Nanofils Télécharger le programme + résumés
Orateurs invités au GDR PULSE : Bruno Andreotti, ESPCI, Paris «Mouillage mou : effets de surface dans les matériaux amorphes très déformables» Laurent Cerutti, IES, Montpellier «Épitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs à base d'antimoine sur substrat Si pour la photonique» Jean Decobert, III-V lab, Palaiseau «L'épitaxie sélective : une plateforme d'intégration pour les applications photoniques» Guillaume Fleury, LCPO, Bordeaux «Auto-organisation de films de copolymères à blocs en films minces » Paolo Politi, ISC-CNR, Sesto Fiorentino, Italie «Multi-instability scenario of a doped evaporating crystal» Charles Renard, IEF, Orsay «Intégration parfaite de GaAs par épitaxie latérale sur substrat de silicium nano-structuré» Guillaume Saint-Girons, INL, Lyon «Catalyse par le strontium de la cristallisation de SrTiO3 lors des premiers stades de sa croissance sur silicium» Ian Vickridge, INSP, Paris «RBS et canalisation : la diffusion élastique d'ions revisitée dans la lumière des nanosciences» Bénédicte Warot, CEMES, Toulouse «Analyse conjointe de la déformation et des gradients de composition chimique aux interfaces dans InAs/AlSb»
29-31 Octobre 2014
Nicolas Clément, IEMN, Villeneuve d’Asq
«Emergence des ISFETs 0D: un nouvel outil pour la récupération d'énergie et la détection de bio-molécules uniques »
Vincent Consonni, LMGP, Grenoble
«Formation mechanisms of well-ordered ZnO nanowires and related heterostructures »
Anna Fontcuberta i Morral, EPFL, Lausanne, Suisse
« Nanofils de GaAs par MBE, propriétés et applications en photonique et photovoltaïque »
Pascal Gentile, INAC, Grenoble
«Nanofils silicium pour super et pseudo condensateurs »
Michel Gendry,INL-ECL, Ecully
« Nanofils InAs/InP pour la photonique Silicium: vers la croissance auto-catalysée »
Evelyne Gil, Institut Pascal, Clermont-Ferrand
« L'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE) : le procédé inattendu pour la croissance rapide de nanofils III-V(N) à rapport de forme inédit »
Guilhem Larrieu, LAAS, Toulouse
«Transistors 3D à nanofils pour la nanoélectronique »
Julien Renard, CEA, Grenoble
«Transport électronique dans les nanofils Silicium»
Lorenzo Rigutti,GPM, Rouen
« Corrélation des propriétés optiques et structurales de nanofils III-N hétérostructurés au niveau du nano-objet unique »
Pamela Rueda, Institut Néel, Grenoble
« Étude d'une boîte quantique de CdMnTe insérée dans un nanofil unique de ZnTe : corrélation entre structure et spectroscopie magnéto-optique »
Maria Tchernycheva, IEF, Orsay
« Caractérisation électro-optique des diodes électro-luminescentes à base de nanofils InGaN/GaN »
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